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元件参数资料
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参数目录40083
> IRG4BC20SDPBF IGBT N-CH W/DIO 600V 19A TO220AB
型号:
IRG4BC20SDPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
IGBT N-CH W/DIO 600V 19A TO220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
IRG4BC20SDPBF PDF
产品目录绘图
IR Transistor TO-220AB
IRG Series Circuit
标准包装
50
系列
-
IGBT 类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
Vge, Ic时的最大Vce(开)
1.6V @ 15V,10A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
19A
功率 - 最大
60W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
产品目录页面
1516 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
*IRG4BC20SDPBF
查看IRG4BC20SDPBF代理商
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